■高耐圧プロセス(HVIC)IC試作サービス

液晶やカーエレクトロニクスなど、様々な場面で必要不可欠な高耐圧プロセス。
当社はMOSIS並びにTSMCの高耐圧IC試作プロセスを提供しています。
また、当社の持つネットワークを活用して半導体開発、量産のお手伝いやIPの提供を行っています。

■MOSIS:高耐圧プロセス(シャトル、フルマスク両方に対応)
TSMC(台) Logic
Mixed-Signal
0.18um ...18/24/32/40V
0.35um ...20/23V, 12/15/20/40V
ON Semi(米) CMOS 0.35um ( I3T80 ) ...80V
           ( I3T50 ) ...50V
           ( I3T25 ) ...25V
  0.7um ( I2T100 )...100V
           ( I2T30 ) ...30V
Austriamicrosystems(欧) HV CMOS 0.18um( H18 )...20/50V
0.35um( H35B4D3 )...50V
Global Foundries CMOS 0.18um( 7HV )...20/50V
MOSIS試作サービスはこちらから
■TSMC:高耐圧プロセス(シャトル、フルマスク両方に対応)
0.13 um BCD (※2) (※4) 10/20/28/36V
0.18 um LD (※1) 32V
BCD (※2) (※4) 18/24/32/40V
0.25 um BCD (※2) (※4) 12/24/40/60V
0.35 um DDD (※3) 12/13.5/15/18V
BCD (※2) 12/15/20/40V
0.5 um LDMOS 5/20/450/600/700/800V
(※1)Lateral Diffused MOS
(※2)Bipolar CMOS DMOS
(※3)Double Diffused Drain MOS
(※4)ご利用に関しては別途お問い合わせください
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